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8吋碳化硅正在提速，前段时间，国内新增了3个8吋SiC玩家（.点这里.），最近，又有4家厂商迈进一大步，实现相关技术的领跑：

据“行家说三代半”此前报道，瀚天天成在前段时间，率先实现了8英寸碳化硅外延工艺的技术突破，拥有了国产8英寸SiC外延片的量产能力（.点这里.）。

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天岳先进CTO高超博士介绍公司最近技术进展

高超博士介绍8英寸液相法进展

在技术及研发方面，一直以来，天岳先进持续保持较高的技术研发投入，积极布局前瞻性技术。作为一种有潜力的碳化硅单晶制备新技术，液相法备受关注。通过液相法获得均匀且高品质的晶体需要对温场和流场进行控制，具有较高的技术难度，天岳先进在该技术上布局多年。近日，他们采用液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体，通过热场、溶液设计和工艺创新突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题，尚属业内首创。

除了产品尺寸，在大尺寸单晶高效制备方面，采用他们最新技术制备的晶体厚度已突破60mm，而这对提升产能具有重要意义，该技术也是天岳先进重点布局的技术方向之一。

天岳先进将继续在产品尺寸、晶体厚度、衬底品质等多维度持续加大研发和技术提升，始终保持领先，引领行业发展。

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